Recent #Process technology news in the semiconductor industry
04/02/2025, 05:46 AM UTC
英特尔开启18A风险量产Intel enters risk production on 18A
➀ 英特尔已经开始18A风险量产，这是一个旨在与台积电的2nm技术竞争的工艺；
➁ 基于工厂服务高级副总裁Kevin O'Buckley的强调，风险量产对于扩大生产规模具有重要意义；
➂ 18A工艺具有背面电源供应的特点，而台积电的2nm工艺则没有这一特性；
➃ 预计英特尔将使用18A工艺制造其下一代处理器Panther Lake。
03/28/2025, 02:23 PM UTC
何时能见到90nm的SoC？When Will We See A 90nm SoC?
21年前，在Globalpress 'Leading the Recovery'会议上，一个小组讨论了'何时会有量产的90nm SoC'的问题。
Cadence Design Systems的高级副总裁Ted Vucurevich表示，预计最早在2004年将出现基于90nm工艺的FPGA设计。
来自Synopsys的Anton Domic认为，到2004年，将会有非FPGA芯片在90nm工艺上实现量产。
台积电的Andrew Moore也提到，公司的发展路线图显示，90nm工艺将在2004年实现。
量产90nm设计面临预期良率、客户信心、验证和成本等挑战。
02/24/2025, 02:15 PM UTC
英特尔18A工艺节点详细解读Intel 18A process node detailed
➀ 英特尔推出了18A（1.8nm级）制造工艺的网页展示；➁ 该工艺采用环绕栅极RibbonFET晶体管和PowerVia背面电源传输网络；➂ 这是第一个采用行业标准EDA工具和第三方IP的工艺，旨在通过英特尔晶圆代工服务吸引外部客户。02/24/2025, 11:56 AM UTC
英特尔18A工艺准备流片Intel 18A Process Ready for Tape-Out
➀ 英特尔宣布，其“四年五个节点”计划中的最后也是最为重要的英特尔18A工艺已准备就绪，计划于今年上半年开始流片；
➁ 18A工艺标志着英特尔IDM 2.0战略的重大突破，同时也被视为英特尔代工服务（IFS）重铸往日荣光的关键信号；
➂ 18A制程将引入多项半导体技术，相较于英特尔3nm制程，可将芯片密度提升30%，并提高每瓦性能约15%；
➃ 英特尔计划将18A制程应用于即将推出的Panther Lake笔记本电脑处理器与Clearwater Forest服务器CPU；
➄ 英特尔18A制程的两大突破是RibbonFET全环绕栅极晶体管和PowerVia背面供电技术；
➅ 通过RibbonFET晶体管，英特尔实现了全环绕栅极（GAA）架构，提供更精细的电流控制，降低功耗与漏电；
➆ PowerVia背面供电技术改变了芯片布线的逻辑，使晶体管的供电路径更加直接，提高了供电效率；
➇ 英特尔下一代移动处理器Panther Lake和桌面处理器Nova Lake将基于Intel 18A工艺制造，服务器CPU Clearwater Forest也计划于2026年上半年推出；
➈ 英特尔还将与外部芯片设计公司合作定制芯片，如亚马逊和微软。
02/24/2025, 04:18 AM UTC
领先台积电一年？Intel 18A已经就绪！Intel 18A Ready to Take the Lead Over TSMC and Samsung
➀ 英特尔已正式上线对其最尖端的18A制程工艺的介绍，并称其已准备就绪；
➁ 预计18A制程将在2025年年中量产，由酷睿Ultra 300系列的Panther Lake处理器首发，预计今年下半年上市；
➂ 与Intel 3工艺节点相比，18A制程每瓦性能提升15%，芯片密度提升30%；
➃ 18A采用RibbonFET GAA晶体管技术，可实现电流精确控制，提高每瓦性能、最小电压操作和静电性能；
➄ 18A的PowerVia背面供电技术可将密度和单元利用率提高5%至10%，降低电阻供电下降，使ISO功率性能提高高达4%；
➅ 预计18A将在2025年下半年量产，可能比台积电的N2工艺领先近一年。
02/18/2025, 12:20 PM UTC
英特尔高级工程师哀叹TSMC潜在收购，称赞公司18A技术优势Intel principal engineer bemoans potential TSMC takeover, touts company's 18A tech advantage
➀ 英特尔高级工程师对TSMC可能收购英特尔晶圆厂表示担忧。
➁ 他强调了英特尔18A技术的优势以及半导体制造方面的进步。
➂ 博内蒂反驳了TSMC工程师对于英特尔最新工艺技术是必需的这一观点。
02/14/2025, 04:55 AM UTC
台积电2nm密度更高，但Intel 18A性能更强？TSMC's 2nm Density Higher, But Intel 18A Performance Stronger?
➀ 半导体研究机构TechInsights和SemiWiki在“国际电子设备会议”上公布了英特尔和台积电即将推出的18A（1.8nm级）和N2（2nm级）工艺技术的关键细节。
➁ 英特尔18A提供更高的性能，而台积电N2可能会提供更高的晶体管密度。
➂ 与上一代3nm（N3E）节点相比，台积电N2制程在相同电压下可以将功耗降低24%至35%，而英特尔18A在2nm级工艺中具有最高性能。
➃ 台积电N2的高密度逻辑单元晶体管密度为313 MTx/mm2，英特尔为238 MTx/mm2，三星为231 Mtx/mm2。
➄ 台积电N2的256Mb SRAM阵列的平均良率为>80峰值良率为>90%。
➅ 英特尔18A计划于2025年年中投产，而台积电N2计划于2025年底投产。
01/20/2025, 06:25 AM UTC
英特尔追赶工艺技术的希望渺茫Intel’s process tech catch-up looks unlikely
➀ 在TSMC宣布其A16工艺将在2026年下半年进入大规模生产后，英特尔今年或明年超越TSMC在工艺技术上的希望受到挑战。
➁ 英特尔计划在2025年下半年开始提升其18A工艺，但预计要到2026年才会实现大规模生产，而TSMC预计将在2025年下半年在其等效的N2工艺上实现高产量生产。
➂ 随着潜在收购传闻和投资者对英特尔追赶工艺技术的挫败感，英特尔的情况看起来很不乐观。
01/09/2025, 09:01 AM UTC
瑞萨开发新型MOSFeT工艺Renesas develops new MOSFET process
➀ 瑞萨推出了100V高压N通道MOSFET，具有行业领先的电流开关性能；➁ 新的REXFET-1工艺将导通电阻降低了30%，Qg特性降低了10%；➂ 这些MOSFET采用标准封装，并附带参考设计，方便客户使用。12/18/2024, 06:28 AM UTC
X-FAB提升其SiC工艺X-FAB upgrades its SiC process
➀ X-FAB硅晶圆厂升级了其XbloX平台，提升了SiC工艺技术，为功率MOSFETs提供更小的单元间距，增加了晶圆上的芯片数量，并改善了导通电阻而不损害可靠性；➁ 新工艺XSICM03现已提供早期访问；➂ XbloX平台通过集成合格的SiC工艺开发模块和模块，简化了上板流程，显著降低了设计风险和产品开发时间。
